据世界日报报道，今年57岁的马佐平1969年自台大电机系毕业后，便前往美国耶鲁大学攻读硕士与博士学位，毕业后，进入国际商业机器公司(IBM)从事先进硅晶体管组件科技(Advanced Silicon Device Technology)研究。
马佐平于1977年回到母校耶鲁大学担任教职，26年来一路从助理教授做到电机系系主任以及微电子中心共同主任。
据报道，马佐平的专业领域在于半导体研究，他这次荣获国家工程学院院士，主要是因为他在发展“互补性氧化金属半导体”(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)闸介极科技(gate dielectric technology)方面的卓越贡献。
对获选国家工程学院院士，马佐平感到相当荣幸。他表示，在计算机界，“小而精”是现今整体发展走向，随着处理速度达到1G的DDR内存即将问世，研究人员目前所面临的瓶颈是所有组件的体积都已经小得不能再小。
马佐平表示，他将朝着寻找新材料以及新概念的方向迈进。
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